利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层，研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层......

制备了与A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构，测量了器件的变温电流一电压特性，研究其在正向与反......

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏......

利用分子束外延技术在P型Si（001）衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜，分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电......