新型双RESURF TG-LDMOS器件结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:oyjing
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研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS),讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性,与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性;
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