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将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管．传统栅体直接连接DTMOS，为了避免体源二极管的正向开启，工作电压应当低于0．7V．而采用反偏肖特基势垒结构，DTMOS的工作电压可以拓展到0．7V以上．实验结果显示，室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构，阈值电压可以动态减小200mV．反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式，显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力．另外，对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了