集成注入逻辑器件的物理特性

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这篇文章首先简要地评述了表征组成I~2L 基本单元的侧向pnp晶体管和反向工作的多收集极npn晶体管相应的器件参数。定量地讨论了这种门的一些电路特性。导出了对一定的单元几何尺寸、扇出、掺杂分布和复合特性的情况下,每个门的传输特性、噪声容限、传播延迟的解析表达式,并将其与实验和数字电路摸拟结果相比较。 This article first briefly reviews the device parameters that characterize the lateral pnp transistors that make up the I-2L base unit and the reverse-acting multi-collector npn transistor. Some of the circuit characteristics of this door are discussed quantitatively. The analytical expressions for the transmission characteristics, noise margin and propagation delay of each gate under the condition of certain unit geometry, fanout, doping distribution and composite properties are derived and compared with experimental and digital circuit simulations The results are compared.
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