【摘 要】
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常规的MEMS膜桥开关在10 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度(＞20 dB)的优点.文中介绍了一种应用于微波低频段--S波段的高隔离MEMS膜桥开关,给出了开关的设计与优化方法,建立
【机 构】
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东南大学仪器科学与工程系,东南大学仪器科学与工程系,南京电子器件研究所
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常规的MEMS膜桥开关在10 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度(＞20 dB)的优点.文中介绍了一种应用于微波低频段--S波段的高隔离MEMS膜桥开关,给出了开关的设计与优化方法,建立了开关的等效电路模型.通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施,达到提高开关隔离度的目的.利用HFSS软件仿真的结果表明,该开关在微波低频段(3～6 GHz)有着很好的隔离性能.开关样品在片测试的电性能指标:插损＜0.3 dB,隔离度＞40 dB,驱动电压＜20 V.
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