【摘 要】
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在对已发表的GaAs HBT文献的研究中发现,其截止频率fT的理论计算结果比实验值小很多,而相应的文献中并没有给出fT的计算结果.针对上述问题,文中对产生这种差距的原因进行了分
【机 构】
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四川大学物理系,中国科学院微电子中心
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在对已发表的GaAs HBT文献的研究中发现,其截止频率fT的理论计算结果比实验值小很多,而相应的文献中并没有给出fT的计算结果.针对上述问题,文中对产生这种差距的原因进行了分析,认为由于速度过冲效应的存在,使得电子并非以饱和速度Vsat渡越BC结耗尽区,而是以更高的速度运动.基于上述理论,对产生截止频率误差的BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正.利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算,得到了令人满意的结果.
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