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采用了n^＋-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管（RTD）的平面化，解决了台面型RTD工艺的不足，得到常温电流峰谷比为2．5：1的平面型RTD（PRTD）；利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管（HBT）、MOSFET、高电子迁移率晶体管（HEMT）等三端器件的结合具有普遍意义。