等离子体刻蚀和沉积中的辉光放电现象

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:stenvenxin123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
评述了在等离子体刻蚀和沉积中会引起沾污,辐射损伤或表面轰击损伤的光辉放电的物理效应.用内外电极的反应器的效应是不同的,除了测量各种系统的电位以外,还分析了两种反应器中重要区域的电条件.证实了以下两点:基片、内壁和内电极的作用如同射频溅射的靶;而测得的电位与反应器的几何形状及工作条件有关.还提供了减少沾污和损伤的方法. The physical effects of a glow discharge that can cause staining, radiation damage, or surface bombardment damage during plasma etching and deposition are reviewed.The effect of the reactor with internal and external electrodes is different and in addition to measuring the potential of various systems The electrical conditions in the important regions of the two reactors were analyzed and the following two points were confirmed: the substrate, the inner wall and the inner electrode function as the target for radio frequency sputtering; and the measured potential is related to the reactor geometry and working conditions There are also ways to reduce contamination and damage.
其他文献
新中国成立之初,在周总理的安排下,一群来自全国各地的老艺人集结北京,形成初具规模的中国杂技团前身。他们身上遗留着解放前民间艺人的特色,撂地卖艺,家族团体……一盘散沙
对光电倍增管所产生的时间分辨限制进行了测量;测量准确度是±2~55×10~(-9)秒。在发光时间为5~8×10~(-8)秒的氢灯帮助下,用示波方法对几种光电倍增管的光电子飞行时间进行了
低压化学汽相淀积系统(LPCVD)具有产量大,均匀性好和成本低等优点,最近国外已大量的用于半导体工业中制备SiO_2、Si_3N_4和多晶硅薄膜,用于硅外延也能够降低温度和抑制自扩
角膜保存方法分为活性保存和非活性保存;活性保存包括湿房保存、中期保存液保存、器官培养和深低温角膜保存;非活性保存有干燥保存、冷冻保存和角膜镜片保存等方法;按保存的
旋转倾斜真空蒸发SiO的方法能同时蒸镀多个基片,并且可在蒸发源和基片距离较短时蒸发。 拍摄了SiO薄层的电子显微镜照片。用上述方法制作了三种液晶显示器件。 The method of rotat
陈国星再扛主旋律大旗,用“三个月差一天”的时间,为党的生日献上一部关于“人”的电影——《第一书记》。“熟悉我的人都知道,我常跟他们讲一句话,就是我愿意把一个类型做到
本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。 文中着重讨论了
一、立足素质教育 ,培养创造性人才联合国教科文组织在 1 972年发表的《学会生活》 ,自始至终强调培养创造性以适应生存需要的主题 ,这里提出了多种素质潜能应全面而和谐地发
(一)用途本所已鉴定的硅雪崩光电探测器有二种型号:GF211GAPD和GT221RAPD。它们适合于用GaAs和Ga_(1-x)AlxAS材料制成的发光二极管(非相干光源)和激光器(相干光源)为发射机
某单位一位安全科长告诉笔者,某执法部门要求将特种作业人员操作许可证复审间隔时间由国家规定的4年1次改为2年1次,以便他们部门多收些钱,因为他们部门新成立,经济实力不雄