【摘 要】
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随着集成电路芯片封装向小型化、集成化方向的不断发展,无铅锡基钎料性能已不能满足目前集成电路封装的需求.本文提出了一种脉冲激光图形化沉积纳米金属颗粒制备小尺寸、细节距焊点阵列的工艺,用于替代集成电路芯片封装中传统锡基焊点.采用图形化沉积的纳米银焊点阵列连接Si芯片及覆铜陶瓷(DBC)基板来验证该工艺在集成电路倒装芯片封装中的可行性.结果 表明,采用聚酰亚胺胶带作为掩膜,可成功沉积出特征尺寸100 μm的银焊点阵列,其最大高度50 μm且呈锥形形貌.焊点锥形形貌的主要形成原因是沉积过程中纳米颗粒在掩膜孔内壁积
【机 构】
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北京航空航天大学机械工程及自动化学院 北京100191;清华大学机械工程系 北京 100084
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随着集成电路芯片封装向小型化、集成化方向的不断发展,无铅锡基钎料性能已不能满足目前集成电路封装的需求.本文提出了一种脉冲激光图形化沉积纳米金属颗粒制备小尺寸、细节距焊点阵列的工艺,用于替代集成电路芯片封装中传统锡基焊点.采用图形化沉积的纳米银焊点阵列连接Si芯片及覆铜陶瓷(DBC)基板来验证该工艺在集成电路倒装芯片封装中的可行性.结果 表明,采用聚酰亚胺胶带作为掩膜,可成功沉积出特征尺寸100 μm的银焊点阵列,其最大高度50 μm且呈锥形形貌.焊点锥形形貌的主要形成原因是沉积过程中纳米颗粒在掩膜孔内壁积累造成掩膜孔径不断减小及掩膜孔深度阻碍了颗粒在孔边缘的沉积.在250℃-3 MPa-10 min的热压连接参数下,形成的焊点微观结构呈中心致密、边缘疏松状态.接头剪切强度随焊点沉积高度的增加而增加,当沉积高度为50 μm时,接头强度达到20 MPa以上,剪切断裂主要发生在银焊点与DBC基板的连接界面处,断裂方式为韧性断裂.
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