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本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为，发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著，而对较高子带则弱得多，同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁能量及跃迁强度也有不同影响。
赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
【摘 要】
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本文利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为，发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著，而对较高子带则弱得多，同时带填充效应在
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家开放实验室,中国科学院半导体研究所半导体
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年2期
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