【摘 要】
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本文采用三氯化硼作反应试剂,研究一种新的蚀刻二氧化锡薄膜工艺.此工艺可以蚀刻1.5μm的线条,其分辨率好且精度高.当对二氧化锡的腐蚀速度为1500(?)/分左右时,不损伤光致抗
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本文采用三氯化硼作反应试剂,研究一种新的蚀刻二氧化锡薄膜工艺.此工艺可以蚀刻1.5μm的线条,其分辨率好且精度高.当对二氧化锡的腐蚀速度为1500(?)/分左右时,不损伤光致抗蚀剂和二氧化锡层下的二氧化硅.
In this paper, boron trichloride as a reaction reagent to study a new etching of tin oxide film process. This process can be etched 1.5μm lines, and its resolution is good and high precision when the corrosion rate of tin dioxide 1500 ( ?) / Min or so, does not damage the photoresist and under the tin dioxide layer under the silicon dioxide.
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