【摘 要】
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基于2μm GaAs HBT工艺,设计了一种工作于1.8～2.0 GHz的射频功率放大器.该功率放大器采用两级放大结构,功率级选用具有良好线性度和效率的J类功率放大器.输出匹配电路采用电容
【机 构】
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福州大学福建省集成电路设计中心,福州350108
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基于2μm GaAs HBT工艺,设计了一种工作于1.8～2.0 GHz的射频功率放大器.该功率放大器采用两级放大结构,功率级选用具有良好线性度和效率的J类功率放大器.输出匹配电路采用电容电感组成的两级网络来实现低Q值匹配,拓宽了宽带性能.在驱动级输入端偏置处添加模拟预失真,进一步改善了幅相特性.电源电压为3.3V,偏置电压为3.4V.采用ADS软件对该功率放大器进行仿真.结果 表明,在1.8～2.0 GHz频率范围内,饱和功率为30.2 dBm,1 dB压缩点输出功率为29.5 dBm,小信号功率增益为32 dB,功率附加效率高于46％.
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