论文部分内容阅读
用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制作了ＰＮ结光敏二极管，对二极管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在光照前后的电容相对变化可达到１００％，远大于低阻Ｐ型硅ＰＮ结在光照前后电容的相对变化率，并得到雾偏下样管电容在光照前后的相对变化率为１２１．７％。