【摘 要】
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为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡（I TO） 玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列（ZNWA）,然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己 基
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为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡（I TO） 玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列（ZNWA）,然后在生长的ZNWA上旋涂规整的聚3-己 基噻吩（P3HT）层,形成结构为ITO/ZNWA/P3HT/Ag的光电二极管。系统研究了此光电二极管在 暗态和在太阳模拟器的光照下的电流-电压 （I-V）特性。实验结果表明,器件在暗态和光照下都表现出良好 的二极管特性。暗态下,在偏压±2V处的整流 率为3211, 理想因子为1.8、低开启电压为0.5V和反偏饱
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