【摘 要】
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研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总
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研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。
Developed a C-band 5W GaAs FET (gallium arsenide field-effect transistor) four power amplifier. The amplifier operating frequency range of 3.7 ~ 4.2 GHz, 1 dB bandwidth of about 300 MHz; at the center frequency, the saturated output power of 4.67W, gain greater than 26dB, the total efficiency of about 14%. This article also introduces the use of shallow leakage bias conditions, small signal S parameters instead of large signal S parameter design matching circuit.
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Jou ji zhi mautoujing,jizhi xiangDung feiqy.Feide leile,giu ting zai shu-shang xiuxi,zhenghau ygian ji zhi bangiu.Bangiu wen mautoujing shuo:“Ni jaudau naar q