【摘 要】
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针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMICLNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会青年科学基金(61501455);北京市自然科学基金面上项目(4162068)
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针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMICLNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数。仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1dB,增益高于30.6dB,输入回波损耗低于-8dB,输出回波损耗低于-10dB,芯片面积为2mm*1.5mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的
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