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在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2，厚度达到了20μm；通过掺Ge增加芯层的折射率，折射率比小于1％，并可调；用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀，刻蚀深度为6μm，刻蚀深度比大于10；波导传输损耗小于0．6dB/cm(λ=1.55μm)，并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究。另外，为实现光纤与波导的耦合，结合微电子机械系统技术，在波导基片上制作了光纤对准V形槽。