一种面向SOC的衬底噪声宏模型

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:RHLOK007
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针对SOC中常见的衬底噪声耦合问题,通过将器件模拟与拟合法相结合,基于0.25μm CMOS工艺提取衬底结构参数建立了电阻宏模型。该模型被应用于CMOS放大器电路,利用Hspice进行仿真,仿真结果表明,该模型从时、频域角度都能较好地表征出衬底噪声对模拟电路性能的影响,对深亚微米混合信号电路设计具有重要的指导意义。
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