【摘 要】
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据讯,采用离子注入这一新技术可以提高金属氧化物半导体器件的抗辐射性能。离子辐射对在硅衬底上热生长的二氧化硅层有两种效应:(1)在氧化层中建立一个网状正空间电荷;(2)在
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据讯,采用离子注入这一新技术可以提高金属氧化物半导体器件的抗辐射性能。离子辐射对在硅衬底上热生长的二氧化硅层有两种效应:(1)在氧化层中建立一个网状正空间电荷;(2)在氧化物-硅界面形成快态。这两种效应均使金属氧化物硅器件的结构不够稳定,
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