基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：w119127594

【摘要】

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介绍了SynopsysInc．推出的新一代（第五代）nm级TCAD仿真平台--Sentaurus W10rk-bench（SWB）的系统结构、基本功能及其优化功能，重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了n

【作者】

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吴胜龙刘岩赵守磊李惠军于英霞张宪敏

【机构】

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山东大学孟壳微电子研发中心

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

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纳米层次可制造性设计虚拟工厂工艺优化集成电路 nano-level design for manufacturing virtual factory p

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介绍了SynopsysInc．推出的新一代（第五代）nm级TCAD仿真平台--Sentaurus W10rk-bench（SWB）的系统结构、基本功能及其优化功能，重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中，围绕V1进行了可制造性设计，利用DOE试验方法和RSM对K进行了优化，得到了阂值电压（V1）和调阈值注入剂量（Vt—Dose）、能量（Vt_Energy）及抑制穿通注入剂量（PNCH_Dose）、能量（

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