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目的 研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长ＧａＮ 时的离子密度对其质量的影响．方法 用朗缪尔探针测量离子密度，用Ｘ 射线双晶衍射及霍尔测量分析ＧａＮ的质量与性能． 结果离子密度越高，薄膜的质量与性能就越好． 当生长ＧａＮ 时的离子密度为２－０ ×１０１１ ｃｍ － ３ 时，所得ＧａＮ 晶膜的氮镓量比接近于１ ，本底电子密度为３－７ ×１０１８ ｃｍ － ３ ，Ｘ 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为１６ ａｒｃｍｉｎ ． 结论 提高离子密度能明显提高ＧａＮ 的质量与性能