【摘 要】
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本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击
【机 构】
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航空航天部骊山微电子学研究所,航空航天部骊山微电子学研究所,航空航天部骊山微电子学研究所
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本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击穿强度达12MV/cm.
In this paper, the main factors influencing the preparation of high quality ultrathin SiO 2 media are analyzed in detail, and a better process for preparing ultrathin SiO 2 media is found, that is, the intermediate annealed argon diluted hydrogen chloride oxidation method, and the 100-120 Thin SiO 2 medium breakdown strength of 12MV / cm.
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