新型PSOI LDMOSFET的结构优化

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanyi1983
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针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8~3×10^12cm^-2。对结构优化的PSOI LDMOSFET进行了开态输出特性模拟,输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象,开态击穿电压可达到16V,器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件
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