热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:terrychang2009
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研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值:阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响。在较低压力下用甲烷氧气作碳源在1500~1700℃合成质量较高的金刚石薄膜,在灯丝温度为1300℃时,获得了微观形貌为球状物的薄膜。用扫描电镜、喇曼光谱和X-ray衍射(Cu靶)对结果进行分析。
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