【摘 要】
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介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的＂L-2L＂去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构
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介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的＂L-2L＂去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置（m=0,0.5,1）下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明：m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近（平均偏差量ΔS11=18.
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