【摘 要】
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以Cu-MOF-199/氧化石墨烯（GO）为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-CuxO-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电镜等对材料的结构和形貌进
【基金项目】
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国家自然科学基金(51273155);国家级大学生创新创业训练项目(201710497056)
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以Cu-MOF-199/氧化石墨烯（GO）为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-CuxO-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电镜等对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安和恒电流充放电等方法测试材料的电化学性能.未掺杂GO的复合材料呈八面体构型,Cu和CuxO颗粒均匀分布在碳骨架上,随着GO引入量的增加,其形态的不规则程度增大.GO投料比例为10%、碳化温度为800℃时,材料的电容性能最佳,在电流密度为0.5 A·g-1时比电容达620 F·g-1,1A·g-1时达477 F·g-1A·g-1时仍有206 F·g-1.
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