【摘 要】
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利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,制得的a-Si 薄膜中含有特征的Si-H键结构. 选用金属铝、铂与未掺杂的a-Si薄膜形成肖特基势垒(M-a-Si),测其I-V特性,展示了接近理想二极管的行为.并求得它们的势垒高度分别为φ_BAl～0.60eV和中φ_BPt～0.78eV.
An amorphous silicon (a-Si) thin film was obtained by a conventional CVD system using an rf glow discharge, which was decomposed with silane (SiH 4), and the silicon thin film obtained from the electron diffraction pattern and x- The results show that the a-Si film has the characteristic Si-H bond structure by the infrared absorption spectrum of the film, and the Schottky barrier is formed by using aluminum, platinum and undoped a-Si film - Si), the IV characteristics were measured to show the behavior close to the ideal diode, and the potential barrier heights of them were φ_BAl ~ 0.60eV and φ_BPt ~ 0.78eV, respectively.
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