【摘 要】
：
采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池，测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数．室温下的正向暗I-V特性采
【基金项目】
：
国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000028208,2006CB202601）和国家高技术研究发展计划（批准号：2006AA052408）资助项目
论文部分内容阅读
采用HWCVD技术在P型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅／晶体硅异质结太阳电池，测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数．室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合，可将0～1V的电压范围区分为4个区域：旁路电阻（0～0．15V）、非理想二极管2（0．15～0．3V）、理想二极管1（0．3～0．5V）和串联电阻（〉0．5V）．拟合结果表明，适当的氖处理时间（～30s）可有效降低非理想二极管的理想因子n2，即降低界面复合电流，表明具有好的界面特性．对于282～335K的暗
其他文献
新课程下的语文作业评价应由对纯知识结果的关注转向对学生生命存在及其发展的整体关怀,作业的评价功能应重在帮助学生发现与发展潜能,认识自我、展示自我,促进学生生命整体
近年来,在奥尔夫的教学方法指导下,我根据幼儿年龄特点、音乐活动目标,从节奏入手,以特点鲜明的节奏练习为主线,练习进行音乐教学,旨在通过音乐节奏的表现,充分挖掘孩子潜在
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场R
我国的教育教学体制正由应试教育向素质教育转轨,而课堂教学 改革的有效开展,更为新课标的深入融合提供有力的支撑,而初中政治 作为基础性科目,实施课堂教学改革是必然趋势,
对Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数，采用数值逼
报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管．在集电极电流Ic=34．2mA的条件下，发射极面积为0.8μm×12μm的InPHBT截止频率fT为162GHz，最大振荡频率fmax为52GHz，最大直流增
在初中阶段进行英语阅读教学活动时,语用能力是学生实践能力的重要体现,与教学效果具有直接关系,必须对其加强重视,本文分别从阅读环境,语用意识,阅读资源,教师能力四个方面
随着医药体制改革以及社会需求的不断转变,传统的教学模式已经不能满足学生综合能力培养的要求,相较于传统教学模式,PBL教学方法更注重学生自主学习、创新、发现问题、解决问
建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型．该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布．基于该模型可以计算出高压RESURF LD
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积为50μm×50μm，电容为0．17pF，4V偏压下的