【摘 要】
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对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数（100）Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶（100）晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si（1
【机 构】
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兰州文理学院电子信息工程学院,兰州大学物理科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（60676033,60276026）, 甘肃省自然科学基金（145RJZA071）资助项目
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对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数（100）Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶（100）晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si（100）。利用XRD对样品测试得出,在P-Si（100）晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相。利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,其结合能为532.4 e V;苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合,其结合能为289.0 e V;在界面处,悬挂键上的S
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