【摘 要】
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该文详细介绍了In/PTCDA/p-Si/In有机/无机半导体异质结二极管的制造过程,并对PTCDA/p-Si结构的表面和界面的XPS分析作了首次报道.分析了OI-HJ二极管的输运特性,发 出在小的
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该文详细介绍了In/PTCDA/p-Si/In有机/无机半导体异质结二极管的制造过程,并对PTCDA/p-Si结构的表面和界面的XPS分析作了首次报道.分析了OI-HJ二极管的输运特性,发 出在小的电流密度下,它表现为接触势垒处的热电子发射模型;在大的电流密度下,它表现为有机薄膜区的空间电荷限制电流模型.分析了该器件的交流导纳.对理论分析与实验结果进行了比较.计算了OI-HJ二极管的电势分布,准费米能级,既考虑了有机薄膜欧姆导电的 一面,又考虑到了它的空间电荷限制电流导电的一面.论述了界面态的存在对OI-HJ能带图 的影响,给出理想因子n对界面态密度的依赖关系.
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