【摘 要】
：
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物
【机 构】
：
中国科学院大学,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室/中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室
【基金项目】
：
国家自然科学基金(No.U1532261,No.11605282,No.11505282,No.11605283),西部之光(No.2015XBQNB15).
论文部分内容阅读
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管,n typeMet al Oxide SemiconductorField EffectTransistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽
其他文献
本文从吴淞工业区的发展条件和存在的问题入手,基于对宏观形势的解读和工业区自身发展条件的分析,借鉴国际老工业区转型经验,并结合城市更新的需求,将吴淞工业区转型发展功能
由于风险的泛在性、不确定性以及危害性,风险预防存在着极端的困难,风险社会要求法律规制模式的转型必须结合国家和社会的力量,进行有效率的风险治理。风险规制的模式选择中,
经济全球化的快速发展促使技术不断更新换代,使得中国企业面临严峻的考验。新技术的竞争、人才的竞争、产品的竞争等,都时刻威胁企业的生存与发展。企业要想在"优胜劣汰"的法
在电力线路工程建设的过程中,经常会受到自然灾害的影响,比如泥石流、滑坡、采空区等不良的地质作用。特别是在山西,电力线路在经过煤矿时受到采空区的影响尤为严重。文章对采空区勘测的几种常规方法进行详细的阐述。
2013年．北京大学法学院与中国科技法学会正式合作编辑出版《科技与法律》杂志。这是杂志之所幸，亦是广大读者之所幸。
创意产业作为凝结知识产权的创造性产品和服务的生产、扩散、聚合体系,正在成为现代产业中的一个新亮点。加强对创意产业的知识产权保护,不断增强知识产权保护意识、加速知识
本文以会计职业道德的内容为基点,分析了市场经济环境下会计人员职业道德失范的形成原因及表现形式,并提出了相应的改进路径。
无线电资源交易发生在MTC网关(MTC Gateway MTCG)和LTE用户之间.根据基于联盟区块链的空闲无线电资源交易来建立MTCG之间的信用度.在多个授权的本地基站(Base Station BS)上
目前,高校科研经费管理与使用方面还存在漏洞,深入分析科研经费管理问题的原因,可以发挥有限科研经费的作用,促进高校科研工作蓬勃开展。因此,本文主要探讨高校科研经费有效