SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：h_f_m

【摘要】

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研究了有机/无机复合结构ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al器件的类阴极射线发光性质,电子经过SiO2层加速后,激发MEH-PPV层发光.发光除了MEH-PPV激子发光峰外,还有一个带间复合的能

【作者】

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刘姗姗滕枫徐征刘明孙世菊徐叙瑢

【机构】

：

北京交通大学光电子技术研究所

【出处】

：

光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

2004年7期

【关键词】

：

二氧化硅厚度类阴极射线发光电子加速异质结有机发光器件 Cathodoluminescence-like emission Heterojunction

【基金项目】

：

国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目，北京市自然科学基金，北京交通大学校科研和教改项目

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研究了有机/无机复合结构ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al器件的类阴极射线发光性质,电子经过SiO2层加速后,激发MEH-PPV层发光.发光除了MEH-PPV激子发光峰外,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰.通过2个发光峰随SiO2层的厚度的变化规律,研究了SiO2对电子的加速能力.

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