【摘 要】
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一、引言在n型GaAs薄片上附加BaTiO_3介质薄层及制作良好的欧姆接触电极,就可制成体效应行波放大器。国外过去六,七年间主要研究用n型GaAs制作体效应振荡器,最近三、四年来
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一、引言在n型GaAs薄片上附加BaTiO_3介质薄层及制作良好的欧姆接触电极,就可制成体效应行波放大器。国外过去六,七年间主要研究用n型GaAs制作体效应振荡器,最近三、四年来在这个基础上又研制体效应行波放大器,在n型GaAs表面附加BaTiO_3介质薄层制成的微波放大器就
I. INTRODUCTION Adding a thin layer of BaTiO_3 to the n-type GaAs sheet and making a good ohmic contact electrode make a body-effect traveling-wave amplifier. Abroad in the past six or seven years of major research using n-type GaAs body effect oscillator, the last three or four years on the basis of this body and developed a body-effect traveling-wave amplifier, n-GaAs surface attached BaTiO_3 dielectric thin layer made of microwave amplifier on
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