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期刊论文
等离子氨化硅应力的研究
等离子氨化硅应力的研究
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxcoldrain
【摘 要】
:
氮化硅的应力严重制约着它的应用,但常见资料对氮化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了PECVDSixNy,薄膜应力大小与制备工艺的关系,从而揭示了以能效地抑制SixNy应力的工艺叙述。文中给出了大
【作 者】
:
俞诚
【机 构】
:
电子工业部中国华晶电子集团公司
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1996年3期
【关键词】
:
等离子氮化硅
薄膜
应力
制备工艺
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氮化硅的应力严重制约着它的应用,但常见资料对氮化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了PECVDSixNy,薄膜应力大小与制备工艺的关系,从而揭示了以能效地抑制SixNy应力的工艺叙述。文中给出了大量数据,对许多实际问题进行了讨论。
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