【摘 要】
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用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅（PbF2:Tb)晶体，闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱，发现该晶体在X－射线和紫外线激发下均能够
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用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅（PbF2:Tb)晶体，闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱，发现该晶体在X－射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光。FbF2:Tb晶体的光吸收起源于Tb^3+离子的4f-4f跃迁，而其光发射则源于Tb^3+离子的电子分别从其激发态^5D3和^5D4能级路迁到基态^7Fj(J=6,5,4,3,2)。 荧光强度随掺杂浓度的提高而提高，当Tb^3+离子浓度较低时，以^5D3→^7FJ跃迁发射为主，当Tb^3+
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