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研究了利用低压化学气相沉积（LPCVD）和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge／Si量子点多层异质结构．首先在SiO2／Si（100）衬底上LPCVD生长了高密度Ge／a-Si量子点多层结构，然后在较低温度下（低于550℃），利用金属Ni诱导多层结构中的a-si层横向结晶制备出高质量的Ge／Si量子点超晶格结构．通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明，与单一a-Si系统的金属Ni诱导相似，该多层结构中的各α-Si层退火后也具有（110）择优取向，同时晶粒的直径较大，约在4～5μm左右．G