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新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:buugly
【摘 要】
:
提出了一种利用与CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术。通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是
【作 者】
:
汤庭鳌
陈登元
等
【机 构】
:
复旦大学微电子学系ASIC和系统国家重点实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2002年11期
【关键词】
:
逻辑电路
挥发性
铁电薄膜
锁存器
logic circuit
nonvolatile
ferroelectric thin film
【基金项目】
:
国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 0 8),,国防科技预研 (批准号 :J8.2 .3.JW 0 70 3),,高校博士点基金资助项目~~
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提出了一种利用与CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术。通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的。
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