银铝锗对硅功率器件中硅和钼连接界面结构的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:charlehc1986
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借助热机械分析,X射线衍射和SEM研究了AgAlGe合金的线膨胀系数,结构和用Ag24Al43Ge33焊接的硅和钼连接界面的结构,探讨了银对它们的影响。结果表明:AgAlGe的线膨胀系数接近银的膨胀系数。在硅和钼的连接界面存在Ag2Al,Al和Ge,Ag2Al的存在提高了连接界面的再熔化温度,减少了硅片的腐蚀深度。 The effects of Ag on the linear expansion coefficient, the structure and the structure of the interface between Si and Mo soldered with Ag24Al43Ge33 were investigated by means of thermomechanical analysis, X-ray diffraction and SEM. The results show that the linear expansion coefficient of AgAlGe approaches the silver expansion coefficient. The presence of Ag2Al, Al and Ge at the interface between silicon and molybdenum increases the remelting temperature at the interface and reduces the corrosion depth of the silicon wafer.
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