【摘 要】
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用溶胶-凝胶 (Sol Gel)方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47)O3(PZT)铁电薄膜 ,顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了
【机 构】
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用溶胶-凝胶 (Sol Gel)方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47)O3(PZT)铁电薄膜 ,顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜。测试结果表明有PT过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能。
A silicon-based Pb (Zr0.53Ti0.47) O3 (PZT) ferroelectric thin film with a PbTiO3 (PT) transition layer was prepared by sol-gel method. The top and bottom electrodes were sputtered metal Titanium platinum layer and low resistance silicon. Under the condition of low temperature annealing, a well-crystallized ferroelectric thin film was obtained. The test results show that the ferroelectric thin film with PT transition layer has good ferroelectric and dielectric properties.
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