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采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜。利用超声强化原位装药技术，在多孔硅膜中填充高氯酸铵或高氯酸钠制备多孔硅含能芯片。试验表明：采用电化学双槽腐蚀法可以制备厚度达90～100um的不龟裂多孔硅厚膜；该多孔硅膜能够承受超声填充高氯酸铵和高氯酸钠等氧化剂时的冲击，得到多孔硅含能芯片。该多孔硅含能芯片在450～470℃的热作用下，可在开放空间发生猛烈爆炸。高氯酸铵比高氯酸钠更适合制备多孔硅含能芯片。