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用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征。D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定。D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27-41℃,清亮点比M5降低17-18℃,液晶态温区比M5加宽10-23℃。二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2-3℃,清亮点降低26-29℃,液晶态温区减少29-31℃。在二代树状物中观察到S=+3