60GHz超低噪声平面掺杂HEMT

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日本三菱电子公司最近开发成功了一种能满足雷达、通信、遥感和电子波探测要求的低噪声AlGaAs/InGaAs P-HEMT。在60GHz下,其最小噪声系数为1.6dB,增益为6.5dB。该噪声系数是已报道的AlGaAs/InGaAs P-HEMT中最 Japan’s Mitsubishi Electronics has recently developed a low-noise AlGaAs / InGaAs P-HEMT that meets radar, communications, remote sensing and wave detection requirements. At 60GHz, the minimum noise figure is 1.6dB with a gain of 6.5dB. This noise figure is the most reported AlGaAs / InGaAs P-HEMT
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