飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON)

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飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50%的RDS(ON)和出色的品质因数(figure of merits,FOM),有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm×6mm MLP Power56封装的100V MOSFET器件,使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺技术,能够最大限度地减小导通阻抗,同时保持优良的开关性能和稳健性。
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