离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：alonsoyl

【摘要】

：

报道了用离子注入方法和组合技术制备的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱多波长发光集成芯片，利用量子阱果面混合原理在同一块ＧａＡｓ衬底片上获得了２０多个发光波长从７８７￣７２４ｎｍ的ＧａＡｓ量子阱发光单元，研究了不同剂量的Ａｓ和Ｈ离子分

【作者】

：

李志锋刘兴权

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,中国科学院上海原子核研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

砷化镓多波长发光芯片量子阱离子注入 GaAs quantum well ion implantation interface intermixing

【基金项目】

：

国家自然科学基金!(编号 696760 1 4 ),,上海市启明星计划!(编号98QA1 4 0 0 4 )资助项目&&

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报道了用离子注入方法和组合技术制备的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱多波长发光集成芯片，利用量子阱果面混合原理在同一块ＧａＡｓ衬底片上获得了２０多个发光波长从７８７￣７２４ｎｍ的ＧａＡｓ量子阱发光单元，研究了不同剂量的Ａｓ和Ｈ离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响，采用了组事技术和离子注入技术大大筒化了制备工艺过程，这种上发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义

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