AuSn共晶焊焊接空洞率工艺研究

来源 :集成电路通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanzi774
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过对某型号电路AuSn围框共晶焊工艺过程的分析及讨论,研究了共晶焊过程对焊接后空洞率的影响,确定了AuSn共晶焊的最佳工艺曲线。通过试验验证了焊接后空洞率小于4%,封装后气密性检测合格率100%。
其他文献
<正> 芦丁(H4R)是带4个苯羟基的黄酮类化合物,易与金属离子形成配合物,用于某些金属离子的分析。我们曾研究过稀土与槲皮素形成的配合物。本文报导芦丁与稀土的配合物。 稀土硝
数字后端设计采用流程化、步骤化设计可以很大程度的提高设计的完整性和可修改性。采用IC Compile工具完成了数字Uart IP的后端设计,该设计主要分为布局、电源规划、时钟树综
一种数模混合芯片通过在芯片设计过程中,增加了可测性设计,使得芯片建立故障的敏感化通路,观测到芯片对于激励的响应,从而判断电路是否存在故障。根据芯片各个模块的特性,采用不同
针对LTCC上后烧电阻阻值不稳定的问题,提出了共烧工艺制作膜电阻。通过将三种不同共烧电阻浆料用相同网版制作电阻,经验证三种方阻的浆料两个批次间的一致性较好。通过设计修正
<正> 电池工业目前使用的电解二氧化锰(EMD),是采用直接电解氧化法制得的。由于产物紧附在阳极表面,需要剥离,无法连续生产,加上电解温度较高,电流密度偏低(0.01A&#183;cm-2),
针对光耦合器高精度组装的要求,利用设计的一种高精度标尺,达到了对光耦合器组装中晶粒芯片的高精度固定,该方法操作简单、成本低,固晶精度高,完全满足光耦合器高精度组装的要求。
采用MPP(多相钉扎)技术的CCD具有优异的暗电流性能,在军事观察、天文观测和生物工程等领域有大的发展潜力和应用前号。针对采用MPP简化的二维二相CCD结构,研究丁不同的沟道电极电
对表征电子产品可靠性的时间参数平均无故障工作时间(MTBF)的实际意义进行了研究和探讨,运用定时截尾试验法和应力加速试验法给出了具体产品评估的试验与计算过程,比较了计算MTBF
平行缝焊是集成电路封装的一种重要封装方式。在某些条件相对固定的时,可以对不同型号的系列管壳设置一组可共用的缝焊工艺典型参数。通过技术分析后,选择在同一生产线生产的不
数字表头通信功能主要由待测模块、数字电流(电压)表头、RS232-RS485转换器、PC机四部分硬件组成。以PC机作为上位机,通过LabVIEW软件进行编程,利用RS232转RS485串口,开发出基于mo