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ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出较佳的干氧抗总剂量加固工艺条件。
Si—栅MOSFET抗总剂量加固技术
【摘 要】
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ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出较佳的干氧抗总剂量加固
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年6期
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