ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值......