【摘 要】
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据日刊《电子材料》1980年6月第6期报道,日本日电东芝信息系统研究所研制成功了256K位N沟MOS动态随机存储器(RAM),使MOS数字电路达到了超大规模集成水平。 该电路芯片尺寸为
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据日刊《电子材料》1980年6月第6期报道,日本日电东芝信息系统研究所研制成功了256K位N沟MOS动态随机存储器(RAM),使MOS数字电路达到了超大规模集成水平。 该电路芯片尺寸为4.84×8.59mm,采用双层多晶硅N沟硅栅工艺,使用5伏单一电源,由16腿300密耳DIP(双列直插式)封装。
According to the Japanese Journal of Electronic Materials, June, 1980, the 6th report reported that Japan's Nikkei Toshiba Institute of Information Systems developed a 256K-bit N-channel MOS dynamic random access memory (RAM), so that the MOS digital circuit reached a very large-scale integration. The circuit chip size 4.84 × 8.59mm, using double polysilicon N-groove silicon gate technology, using a single 5-volt power supply, by the 16-leg 300-mil DIP (dual in-line) package.
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