用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料

来源 :电子工业专用设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户：netchina123

【摘要】

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现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减.获得的新材料展

【机构】

：

Hitachi Chemical Co., Ltd. 4-13-1 Higashi-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 317-8555 Japan

【出处】

：

电子工业专用设备

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

浅沟道隔离金属CMP 低k介质 CMP浆料平坦化工艺

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现已开发出了用于浅沟道隔离(STI)、铜CMP和低k介质的新型材料.90 nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减.获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求.这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃(SOG)材料.

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