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对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性制质和均匀性进行了研究。非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料，但这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性，纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10^6Ω·cm和1800cm^2/(V·S）；而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10^7Ω·cm和3000cm^2/（V·S）以上，对这两种半绝缘片和